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秒速时时彩直播品牌厂商AO3400

AO3400

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MOS场效应管(单) SK N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A

 

中文数据手册

产品信息

规格参数

产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管



FET配置(电路类型)

N沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

30V


漏极电流(Id, 连续)

5.8A


导通电阻 Rds(on)

35毫欧


阈值电压Vgs(th)

1.5V@250μA


最大耗散功率

-


封装/外壳

SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)



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AO3400MDDN沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W 立即购买
AO3400SKN沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A 立即购买
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